قالت شركة سامسونج أمس الاثنين إنها بدأت مرحلة الإنتاج الشامل للمعالجات التي تستخدم تقنية FinFET 10 نانومترات، مضيفةً أنها الشركة في الأولى في العالم التي تقوم بذلك.
وأوضحت عملاقة الإلكترونيات الاستهلاكية في بيان صحافي أن منتجاً تقنياً سيُطلق مطلع العام المقبل سيستخدم معالجاً مصنوعاً بتقنية 10 نانومترات، دون أن تحدد ما هو الجهاز.
وكانت صحيفة “إلكترونيك تايمز” Electronic Times الكورية قد نقلت في وقت سابق من الشهر الحالي أن سامسونج ستكون المنتج الوحيد للجيل القادم من معالجات كوالكوم، وهو المعالج “سنابدراجون 830”.
يُشار إلى المعالج كوالكوم سنابدراجون 830 سيُستخدم في نحو نصف هواتف غالاكسي إس8 المرتقب، الذي يُتوقع إطلاقه مطلع العام 2017.
وأوضحت سامسونج، التي تمر في الوقت الراهن بظروف صعبة جداً بعد فشل هاتفها غالاكسي نوت 7 وإيقاف إنتاجه نهائياً، أن معالجات FinFET 10nm تمتاز بأنها تستخدم بنية ثلاثية الأبعاد للترانزستوات مع تحسينات إضافية في كل من تقنية المعالجة والتصميم مقارنة بمعالجات FinFET 14nm السابقة.
وأضافت الشركة أن المعالجات الجديدة توفر زيادة بنسبة تصل إلى 30% في الكفاءة، وبنسبة 27% في الأداء، وبنسبة 40% أقل في استهلاك الطاقة.
وكشفت سامسونج أنها تعتزم بعد مرحلة الإنتاج الشامل الأولى لمعالجات FinFET 10nm، البدء بالمرحلة الثانية التي ستقدم تحسيناً في الأداء أكثر وذلك خلال النصف الثاني من العام 2017.
